Kontentke ótiw

Kompyuter yadı

Wikipedia, erkin enciklopediya
DDR4 SDRAM moduli. 2021-jılǵa kelip, kompyuterlerde hám serverlerde qollanılatuǵın kompyuter yadınıń 90 procentten aslamı usı túrde boldı.[1]

Kompyuter yadı informaciyanı, maǵlıwmatlardı hám programmalardı kompyuterde tez paydalanıw ushın saqlaydı.[2] Yad termini kóbinese RAM, tiykarǵı yad yamasa birinshi dárejeli saqlaw ornı terminleri menen sinonim bolıp tabıladı. Tiykarǵı yad ushın gónergen sinonimlerine magnit yadrolı yad ushın "core" hám "store" sózlerin óz ishine aladı.

Tiykarǵı yad massalıq saqlaw qurılmasına salıstırǵanda joqarı tezlikte isleydi, al ǵalabalıq saqlaw qurılması ásterek , biraq bit ushın arzanıraq hám sıyımlılıǵı joqarıraq. Ashılǵan programmalardı hám aktiv islenip atırǵan maǵlıwmatlardı saqlawdan tısqarı, kompyuter yadı oqıw hám jazıw ónimdarlıǵın jaqsılaw ushın ǵalabalıq saqlaw keshi hám jazıw buferi xızmetin atqaradı. Operaciyalıq sistemalar islep turǵan programmalarǵa zárúr bolmaǵan jaǵdayda keshlew ushın RAM sıyımlılıǵın paydalanadı.[3] Kerek bolǵan jaǵdayda, kompyuter yadınıń mazmunın saqlaw qurılmasına kóshiriwge boladı; bunı islewdiń keń tarqalǵan usılı - virtual yad dep atalatuǵın yad basqarıw texnikası bolıp tabıladı.

Zamanagóy kompyuter yadı yarım ótkizgishli yad túrinde ámelge asırıladı,[4][5] bunda maǵlıwmatlar integral sxemadaǵı MOS tranzistorları hám basqa komponentlerden quralǵan yad yacheykalarında saqlanadı.[6] Yarım ótkizgishli yadtıń eki tiykarǵı túri bar: turaqlı emes hám turaqlı. Turaqlı yad mısallarına flesh-yad hám ROM, PROM, EPROM hám EEPROM yadları kiredi. Turaqlı emes yad mısallarına birinshi dárejeli saqlaw ushın qollanılatuǵın dinamikalıq tosınnan kiriw yadı (DRAM) hám tiykarınan CPU keshi ushın qollanılatuǵın statikalıq tosınnan kiriw yadı (SRAM) kiredi.

Kópshilik yarım ótkizgishli yadlar hár biri bir bit (0 yamasa 1) saqlaytuǵın yad yacheykalarına shólkemlestirilgen. Flesh-yad shólkemlestiriwi hár yad yacheykasına bir bit hám hár yacheykaǵa bir neshe bitti saqlay alatuǵın kóp dárejeli yacheykanı óz ishine aladı. Yad yacheykaları belgilengen sóz uzınlıǵındaǵı sózlerge gruppalanǵan, mısalı, 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 yamasa 128 bit. Hár sózge N bitli ekilik adres arqalı kiriwge boladı, bul yadta 2N sózdi saqlawǵa múmkinshilik beredi.

Tariyxı

Kompyuter yadı hám saqlaw ornınıń tariyxtaǵı eń tómen satıw bahası
IBM 602 qurılmasında qollanılǵan elektromexanikalıq yad, erte dáwirdegi soqqı kartalı kóbeytiw kalkulyatorı
ENIAC qurılmasınıń artqı bóliminiń detalları, vakuum trubkaların kórsetedi
1951-jıllar shamasında IAS kompyuterinde yad sıpatında qollanılǵan Uilyams trubkası
8 GB microSDHC kartası 8 bayt magnit yadrolı yadtıń ústinde (1 yadro 1 bit boladı)

1940-jıllardıń basında yad texnologiyası kóbinese bir neshe bayt sıyımlılıǵın támiynleytuǵın edi. Mıńlaǵan vakuum trubkaların qollanatuǵın birinshi elektronlı programmalanatuǵın cifrlı kompyuter ENIAC, vakuum trubkalarında saqlanǵan on onlıq sanlı 20 sanǵa baylanıslı ápiwayı esaplawlardı orınlay alatuǵın edi.

Kompyuter yadındaǵı kelesi áhmiyetli alǵa ilgerilew 1940-jıllardıń basında Dj. Presper Ekkert tárepinen islep shıǵarılǵan akustikalıq keshigiw sızıǵı yadı menen keldi. Eki ushında kvarc kristalları menen jabılǵan sınap toltırılǵan áynek trubkanı dúziw arqalı, keshigiw sızıqları informaciya bitlerin sınap arqalı tarqalatuǵın ses tolqınları túrinde saqlay alatuǵın, al kvarc kristalları bitlerdi oqıw hám jazıw ushın transdyuserler sıpatında xızmet etetuǵın edi. Keshigiw sızıǵı yadınıń sıyımlılıǵı bir neshe mıń bitke sheklengen edi.

Keshigiw sızıǵınıń eki alternativası - Uilyams trubkası hám Selektron trubkası 1946-jılı payda boldı, ekewi de saqlaw quralı sıpatında ayna trubkalardaǵı elektron nurların paydalanatuǵın edi. Katod-nur trubkaların qollanıp, Fred Uilyams birinshi tosınnan kiriw kompyuter yadı bolǵan Uilyams trubkasın oylap taptı. Uilyams trubkası Selektron trubkasına qaraǵanda kóbirek informaciyanı saqlay alatuǵın (Selektron 256 bit penen sheklengen edi, al Uilyams trubkası mıńlaǵan bitti saqlay alatuǵın) hám arzanıraq edi. Degen menen, Uilyams trubkası qorshaǵan orta tásirlerine júdá sezimtal bolǵan.

1940-jıllardıń aqırında turaqlı yadtı tabıw ushın háreketler baslandı. Magnit yadrolı yad elektr toǵı úzilgennen keyin de yadtıń saqlanıp qalıwına múmkinshilik berdi. Ol 1940-jıllardıń aqırında Frederik V. Vie hám An Van tárepinen islep shıǵarıldı hám 1950-jıllardıń basında Djey Forrester hám Yan A. Rayxman tárepinen jetilistirilip, 1953-jılı Whirlwind I kompyuteri menen kommerciyalıq jaqtan óndiriske shıǵarıldı.[7] Magnit yadrolı yad 1960-jıllarda MOS yarım ótkizgishli yadı rawajlanǵanǵa shekem yadtıń eń basım forması boldı.[8]

Birinshi yarım ótkizgishli yad 1960-jıllardıń basında bipolyar tranzistorlardı qollanıp, flip-flop sxeması sıpatında ámelge asırıldı.[8] Diskret qurılmalardan jasalǵan yarım ótkizgishli yad birinshi ret 1961-jılı Texas Instruments kompaniyası tárepinen AQSH Hawa Kúshlerine jetkerip berildi. Sol jılı integral sxema (IC) chipindegi qattı deneli yad koncepciyası Fairchild Semiconductor kompaniyasınıń qollanbalı injeneri Bob Norman tárepinen usınıldı.[9] Birinshi bipolyar yarım ótkizgishli yad IC chipi 1965-jılı IBM tárepinen usınılǵan SP95 boldı.[8] Yarım ótkizgishli yad magnit yadrolı yadqa qaraǵanda jaqsılanǵan ónimdarlıqtı usınǵanına qaramastan, ol úlkenirek hám qımbatıraq bolıp qaldı hám 1960-jıllardıń aqırına deyin magnit yadrolı yadtıń ornın tolıq iyeley almadı.[8][10]

MOS yadı

Metal-oksid-yarım ótkizgish maydanlı-effektli tranzistordıń (MOSFET) oylap tabılıwı metal-oksid-yarım ótkizgish (MOS) tranzistorların yad yacheykalarınıń saqlaw elementleri sıpatında ámeliy qollanıwǵa múmkinshilik berdi. MOS yadı 1964-jılı Fairchild Semiconductor kompaniyasında Djon Shmidt tárepinen islep shıǵarıldı.[11] Joqarı ónimdarlıqtan tısqarı, MOS yarım ótkizgishli yadı magnit yadrolı yadqa qaraǵanda arzanıraq edi hám az quwat jumsaytuǵın edi.[12] 1965-jılı, Korollik Radar Mekemesiniń Dj. Vud hám R. Ball atlı xızmetkerleri quwat támiynatı, kommutaciyalanǵan kross tárizli baylanıs, óshirgishler hám keshigiw sızıǵı saqlaw ornı ushın MOSFET quwat qurılmalarınan tısqarı, CMOS (komplementar MOS) yad yacheykaların qollanatuǵın cifrlı saqlaw sistemaların usındı. 1968-jılı Fairchild kompaniyasında Federiko Fadjin tárepinen kremniy-qaqpaq MOS integral sxema (MOS IC) texnologiyasınıń rawajlandırılıwı MOS yad chiplerin óndiriw múmkinshiligin berdi.[13] NMOS yadı 1970-jıllardıń basında IBM tárepinen kommerciyalıq jaqtan óndiriske shıǵarıldı.[14] MOS yadı 1970-jıllardıń basında basım (ústem) yad texnologiyası sıpatında magnit yadrolı yadtıń ornın iyeledi.[12]

Turaqsız tosınnan kiriw yadınıń (RAM) eki tiykarǵı túri - statikalıq tosınnan kiriw yadı (SRAM) hám dinamikalıq tosınnan kiriw yadı (DRAM). Bipolyar SRAM 1963-jılı Fairchild Semiconductor kompaniyasında Robert Norman tárepinen oylap tabıldı,[8] sońınan 1964-jılı Fairchild kompaniyasında Djon Shmidt tárepinen MOS SRAM islep shıǵarıldı.[12] SRAM magnit yadrolı yadqa alternativa boldı, biraq maǵlıwmattıń hár bir biti ushın altı tranzistor talap etedi.[15] SRAM kommerciyalıq paydalanıw 1965-jılı IBM kompaniyası System/360 Model 95 ushın ózleriniń SP95 SRAM chipin usınǵanda baslanǵan edi.[8]

Toshiba kompaniyası 1965-jılı óziniń Toscal BC-1411 elektron kalkulyatorı ushın bipolyar DRAM yad yacheykaların usındı.[16][17] Jaqsılanǵan ónimdarlıq usınǵanına qaramastan, bipolyar DRAM sol waqıtta basım orınǵa iye bolǵan magnit yadrolı yadtıń tómen bahası menen básekilese almadı.[18] MOS texnologiyası házirgi DRAM ushın tiykar bolıp esaplanadı. 1966-jılı IBM Thomas J. Watson Research Center orayında Robert X. Dennard MOS yadı boyınsha jumıs islep atırǵan edi. MOS texnologiyasınıń ózgesheliklerin izertlew barısında, ol kondensatorlar dúziw múmkin ekenligin hám MOS kondensatorında zaryadtıń bar yamasa joq bolıwı bittiń 1 hám 0 bolıp kórsetiliwi múmkinligin, al MOS tranzistorı kondensatorǵa zaryadtı jazıwdı basqara alatuǵının anıqladı. Bul onıń bir tranzistorlı DRAM yad yacheykasın rawajlandırıwına alıp keldi.[15] 1967-jılı Dennard MOS texnologiyasına tiykarlanǵan bir tranzistorlı DRAM yad yacheykası ushın patent berdi.[19] Bul 1970-jıldıń oktyabr ayında birinshi kommerciyalıq DRAM IC chipi Intel 1103 chipine alıp keldi.[20][21] Sinxronlı dinamikalıq tosınnan kiriw yadı (SDRAM) keyinirek 1992-jılı Samsung KM48SL2000 chipi menen debyut etti.[22][23]

Yad termini, sonday-aq, kóbinese zamanagóy flesh-yadtı qosqanda, tek oqıw yadın (ROM) óz ishine alatuǵın turaqlı yadqa da qollanıladı. Programmalanatuǵın tek oqıw yadı (PROM) 1956-jılı American Bosch Arma Corporation kompaniyasınıń Arma bóliminde islegen Ven Cing Chou tárepinen oylap tabılǵan.[24][25] 1967-jılı Bell Labs laboratoriyasınıń Davon Kang hám Saymon Se MOS yarım ótkizgishli qurılmasınıń qalqıwshı qaqpaǵı qayta programmalanatuǵın ROM yacheykası ushın qollanılıwı múmkin dep usındı, bul 1971-jılı Intel kompaniyasınıń Dov Fromanınıń EPROM (óshiriletuǵın PROM) oylap tabıwına alıp keldi.[26] EEPROM (elektr jolı menen óshiriletuǵın PROM) 1972-jılı Elektrotexnikalıq laboratoriyada Yasuo Tarui, Yutaka Xayashi hám Kiyoko Naga tárepinen islep shıǵarıldı.[27] Flesh-yad 1980-jıllardıń basında Toshiba kompaniyasında Fudjio Masuoka tárepinen oylap tabıldı.[28] Masuoka hám onıń kásiplesleri 1984-jılı NOR-flesh,[29] al 1987-jılı NAND-flesh oylap tabılǵanı haqqında prezentaciya isledi. Toshiba kompaniyası 1987-jılı NAND-flesh yadın kommerciyalıq jaqtan óndiriske shıǵardı.[30][31][32]

Texnologiyalıq rawajlanıwlar hám masshtab ekonomikası (VLM) dep atalatuǵın kompyuterlerdi múmkin etti..[33]

Qubılmalı kategoriyaları

Hár túrli DRAM tiplerin óz ishine alǵan hár qıylı yad modulleri (joqarıdan tómenge): DDR SDRAM, SDRAM, EDO DRAM hám FPM DRAM

Turaqsız yad - saqlanǵan informaciyanı saqlap qalıw ushın elektr quwatı talap etiletuǵın kompyuter yadı. Kópshilik házirgi yarım ótkizgishli turaqsız yad ya statikalıq RAM (SRAM) yamasa dinamikalıq RAM (DRAM) bolıp tabıladı. DRAM stol sistema yadı ushın ústem orınǵa iye. SRAM processor keshi ushın qollanıladı. SRAM, sonday-aq, az yad talap etiletuǵın kishi ornatılǵan sistemalarda da tabıladı.

SRAM quwat qosılǵansha óz mazmunın saqlaydı hám ápiwayı interfeysti qollana aladı, biraq ádette hár bit ushın altı tranzistor paydalanadı. Dinamikalıq RAM interfeys hám basqarıw ushın quramalıraq bolıp, óz mazmunın joǵaltpaw ushın úziliksiz jańalaw ciklların talap etedi, biraq hár bit ushın tek bir tranzistor hám bir kondensator paydalanadı, bul oǵan joqarı tıǵızlıqqa erisiw hám bit ushın ádewir arzanıraq bahaǵa iye bolıw múmkinshiligin beredi.[2][32]

Turaqlı yad

Turaqlı yad quwat qosılmaǵan jaǵdayda da saqlanǵan informaciyanı saqlap qala aladı. Turaqlı yadqa mısallar - tek oqıw yadı, flesh-yad, magnitli kompyuter saqlaw qurılmalarınıń kópshilik túrleri (mısalı, qattı diskler, iyilmeli diskler hám magnitli lenta), optikalıq diskler hám magnitli baraban, qaǵaz lenta hám perfokartalar sıyaqlı erte kompyuter saqlaw usılları kiredi.[32]

Islep shıǵarılıp atırǵan turaqlı yad texnologiyalarına ferroelektrlik RAM, programmalanatuǵın metallizaciya yacheykası, spin-kóshiriw momenti magnitli RAM, SONOS, qarsılıqlı tosınnan kiriw yadı, jarıs jolı yadı, Nano-RAM, 3D XPoint hám milliped yadı kiredi.

Yarım-turaqlı yad

Yadtıń úshinshi kategoriyası - yarım-turaqlı yad. Bul termin quwat óshirilgennen keyin sheklengen turaqlı dawamlılıqqa iye bolǵan, biraq sońınan maǵlıwmatlar aqırında joǵalatuǵın yadtı súwretlew ushın qollanıladı. Yarım-turaqlı yadtı qollanıwdaǵı ádettegi maqset - turaqsız yadlar menen baylanıslı joqarı ónimdarlıq hám tuwrılıqtı turaqlı yadtıń ayırım artıqmashlıqların támiynlew menen birge usınıw bolıp tabıladı.

Mısalı, ayırım turaqlı yad túrleri jazılǵanda tozadı. Tozǵan yacheyka turaqsızlıǵı artadı, biraq basqa jaǵdayda islewin dawam etedi. Sonlıqtan, jiyi jazılatuǵın maǵlıwmat orınları tozǵan sxemalardı qollanıwǵa baǵdarlanıwı múmkin. Orın belgili bir saqlanıw waqıtı ishinde jańalanıp turılsa, maǵlıwmatlar jaramlı bolıp qaladı. Jańalanıwsız belgili bir waqıt ótkennen keyin, mánis uzaǵıraq saqlanıw múddetine iye az tozǵan sxemaǵa kóshirip alınadı. Birinshi gezekte tozǵan aymaqqa jazıw, tozbaǵan sxemalarda tozıwdı boldırmay turıp, joqarı jazıw tezligine múmkinshilik beredi.[34]

Ekinshi mısal retinde, STT-RAM úlken yacheykalardı qurıw arqalı turaqlı etip isleniwi múmkin, biraq bul bit ushın bahanı hám quwat talapların arttıradı hám jazıw tezligin tómenletedi. Kishi yacheykalardı qollanıw bahanı, quwattı hám tezlikti jaqsılaydı, biraq yarım-turaqlı tártipke alıp keledi. Ayırım qollanbalarda, arttırılǵan turaqsızlıq turaqlı yadtıń kóp artıqmashlıqların támiynlew ushın basqarılıwı múmkin, mısalı, quwattı óshirip, biraq maǵlıwmatlar joǵalmastan aldın oyatıwǵa májbúrlew; yamasa tek oqıw maǵlıwmatların keshlew hám quwattı óshiriw waqıtı turaqlılıq shegarasınan asıp ketse, keshlengen maǵlıwmatlardı taslaw arqalı.[35]

"Yarım-turaqlı" termini, sonday-aq, basqa yad túrlerinen quralǵan yarım-turaqlı tártipti súwretlew ushın qollanıladı, mısalı, nvSRAM, bul bir chipte SRAM hám turaqlı yadtı birgelikte alıp júredi, bunda sırtqı signal turaqsız yadtan turaqlı yadqa maǵlıwmatlardı kóshiredi, biraq eger kóshiriw ámelge asırılmastan aldın quwat óshirilse, maǵlıwmatlar joǵaladı. Basqa mısal - batareya menen quwatlanatuǵın RAM, ol sırtqı quwat óshirilgen jaǵdayda yad qurılmasın quwatlandırıw ushın sırtqı batareyanı qollanadı. Eger quwat uzaq waqıt dawamında óshirilgen bolsa, batareya tawsılıp qalıwı múmkin, bul maǵlıwmat joǵalıwına alıp keledi.[32]

Basqarıw

Kompyuter sistemasınıń durıs islewi ushın yadtı durıs basqarıw áhmiyetli. Zamanagóy operaciyalıq sistemalar yadtı durıs basqarıw ushın quramalı sistemalarǵa iye. Bunı orınlamaw qátelerge yamasa áste islewge alıp keliwi múmkin.

Qáteler (Baglar)

Yadtı nadurıs basqarıw qáteler hám qáwipsizlik hálsizlikleriniń keń tarqalǵan sebebi bolıp tabıladı, sonıń ishinde tómendegi túrleri bar:

  • Yad aǵıwı baǵdarlama operaciyalıq sistemadan yadtı soraǵanda hám jumısı tamamlanǵanda yadtı qaytarmaǵanda júz beredi. Bul qatesi bar baǵdarlama operaciyalıq sistema tawsılǵanda baǵdarlama isten shıqqansha áste-aqırın kóbirek yadtı talap etedi.
  • Segmentaciya qátesi baǵdarlama óziniń ruqsatı joq yadqa kiriwge háreket etkende payda boladı. Ádette, bunday háreketti islegen baǵdarlama operaciyalıq sistema tárepinen toqtatıladı.
  • Bufer tolıp ketiwi baǵdarlama ózine ajıratılǵan keńisliktiń aqırına shekem maǵlıwmat jazǵanda hám bunnan keyin de basqa maqsetler ushın ajıratılǵan yadqa maǵlıwmat jazıwdı dawam etkende júz beredi. Bul baǵdarlamanıń turaqsız islewine, sonıń ishinde yadqa kiriw qátelerine, nadurıs nátiyjelerge, baǵdarlamanıń toqtawına yamasa sistema qáwipsizliginiń buzılıwına alıp keliwi múmkin. Solay etip, olar kóplegen baǵdarlamalıq támiynat hálsizlikleriniń tiykarı bolıp, zıyanlı túrde paydalanılıwı múmkin.

Virtual yad

Virtual yad - bul fizikalıq yadtı operaciyalıq sistema basqaratuǵın sistema bolıp, ádette kóp sanlı zamanagóy processorlardıń bólegi bolǵan yad basqarıw blogınıń járdeminde iske asırıladı. Ol hár qıylı túrdegi yadlardı paydalanıwǵa múmkinshilik beredi. Mısalı, ayırım maǵlıwmatlar RAM-da saqlanıwı múmkin, al basqa maǵlıwmatlar qattı diskte (máselen, almastırıw faylında) saqlanıp, kesh ierarxiyasınıń keńeytiliwi sıpatında xızmet etedi. Bul bir neshe artıqmashlıqlardı usınadı. Kompyuter baǵdarlamashıları endi ózleriniń maǵlıwmatlarınıń fizikalıq jaylasqan ornı yamasa paydalanıwshınıń kompyuterinde jetkilikli yad bar-joqlıǵı haqqında qayǵırıwı kerek emes. Operaciyalıq sistema aktiv paydalanılatuǵın maǵlıwmatlardı qattı disklerge qaraǵanda ádewir tezirek bolǵan RAM-ǵa jaylastıradı. RAM muǵdarı házirgi barlıq baǵdarlamalardı isletiw ushın jetkiliksiz bolǵanda, kompyuter wazıypalardı orınlawǵa qaraǵanda maǵlıwmatlardı RAM-nan diskke hám keri kóshiriwge kóbirek waqıt sarplaytuǵın jaǵday júz beriwi múmkin; bul qubılıs "thrashing" (tınımsız almasıw) dep ataladı.

Qorǵalǵan yad

Qorǵalǵan yad ‒ bul hár bir baǵdarlamaǵa paydalanıw ushın yad aymaǵı beriletuǵın hám onıń sol shegaradan shıǵıp ketiwine jol qoymaytuǵın sistema. Eger operaciyalıq sistema baǵdarlamanıń ózine tiyisli emes yadtı ózgertiwge urınǵanın anıqlasa, baǵdarlama toqtatıladı (yamasa basqasha sheklenedi ya qayta baǵdarlanadı). Usılay etip, tek nızamdı buzǵan baǵdarlama ǵana islemey qaladı, al basqa baǵdarlamalar bul nadurıs háreketten (qátelik pe yamasa qasaqana ma) zıyan kórmeydi. Qorǵalǵan yadtı paydalanıw kompyuter sistemasınıń isenimliligi menen qáwipsizligin anaǵurlım arttıradı.

Qorǵalǵan yadsız, bir baǵdarlamadaǵı qátelik basqa baǵdarlama paydalanatuǵın yadtı ózgertiwi múmkin. Bul basqa baǵdarlamanıń buzılǵan yad tiykarında jumıs islewine alıp kelip, kútilmegen nátiyjelerge sebep boladı. Eger operaciyalıq sistemanıń yadı buzılsa, pútkil kompyuter sisteması islemey qalıwı hám qayta júkleniwi kerek bolıwı múmkin. Geyde baǵdarlamalar qasaqana basqa baǵdarlamalar paydalanatuǵın yadtı ózgertedi. Bul viruslar hám zıyanlı baǵdarlamalar tárepinen kompyuterlerdi basqarıp alıw ushın islenedi. Sonday-aq, bul basqa baǵdarlamalardı ózgertiwge baǵdarlanǵan paydalı baǵdarlamalar tárepinen de qollanılıwı múmkin, mısalı, qáteliklerdi saplastırıwshılar tárepinen toqtaw noqatların yamasa ilmeklerdi qoyıw ushın.

Derekler

  1. ↑ Read, Jennifer (5 November 2020). "DDR5 Era To Officially Begin In 2021, With DRAM Market Currently Transitioning Between Generations, Says TrendForce". EMSNow. https://www.emsnow.com/ddr5-era-to-officially-begin-in-2021-with-dram-market-currently-transitioning-between-generations-says-trendforce/. 
  2. ↑ 2,0 2,1 Hemmendinger. „Computer memory“. Encyclopedia Britannica (15-fevral 2016-jıl). Qaraldı: 16-oktyabr 2019-jıl. Silteme kórsetiwdegi qátelik: Invalid <ref> tag; name ":1" defined multiple times with different content
  3. ↑ „Documentation for /proc/sys/vm/“.
  4. ↑ „The MOS Memory Market“. Integrated Circuit Engineering Corporation. Smithsonian Institution (1997). 25-iyul 2003-jılda túp nusqadan arxivlendi. Qaraldı: 16-oktyabr 2019-jıl.
  5. ↑ „MOS Memory Market Trends“. Integrated Circuit Engineering Corporation. Smithsonian Institution (1998). 16-oktyabr 2019-jılda túp nusqadan arxivlendi. Qaraldı: 16-oktyabr 2019-jıl.
  6. ↑ 1960 - Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated. Computer History Museum. https://www.computerhistory.org/siliconengine/metal-oxide-semiconductor-mos-transistor-demonstrated/. 
  7. ↑ „1953: Whirlwind computer debuts core memory“. Computer History Museum. Qaraldı: 2-avgust 2019-jıl.
  8. ↑ 8,0 8,1 8,2 8,3 8,4 8,5 „1966: Semiconductor RAMs Serve High-speed Storage Needs“. Computer History Museum. Qaraldı: 19-iyun 2019-jıl. Silteme kórsetiwdegi qátelik: Invalid <ref> tag; name "computerhistory1966" defined multiple times with different content
  9. ↑ „1953: Transistors make fast memories | The Storage Engine | Computer History Museum“. www.computerhistory.org. Qaraldı: 14-noyabr 2019-jıl.
  10. ↑ Semiconductors and the Information Revolution: Magic Crystals that made IT Happen. 
  11. ↑ Solid State Design - Vol. 6. 
  12. ↑ 12,0 12,1 12,2 „1970: MOS Dynamic RAM Competes with Magnetic Core Memory on Price“. Computer History Museum. Qaraldı: 29-iyul 2019-jıl. Silteme kórsetiwdegi qátelik: Invalid <ref> tag; name "computerhistory1970" defined multiple times with different content
  13. ↑ „1968: Silicon Gate Technology Developed for ICs“. Computer History Museum. Qaraldı: 10-avgust 2019-jıl.
  14. ↑ Recollections on MOSFET Scaling. 
  15. ↑ 15,0 15,1 „DRAM“. IBM100. IBM (9-avgust 2017-jıl). Qaraldı: 20-sentyabr 2019-jıl. Silteme kórsetiwdegi qátelik: Invalid <ref> tag; name "ibm100" defined multiple times with different content
  16. ↑ „Spec Sheet for Toshiba "TOSCAL" BC-1411“. Old Calculator Web Museum. 3-iyul 2017-jılda túp nusqadan arxivlendi. Qaraldı: 8-may 2018-jıl.
  17. ↑ „Toshiba "Toscal" BC-1411 Desktop Calculator“. 20-may 2007-jılda túp nusqadan arxivlendi.
  18. ↑ „1966: Semiconductor RAMs Serve High-speed Storage Needs“. Computer History Museum.
  19. ↑ „Robert Dennard“. Encyclopedia Britannica. Qaraldı: 8-iyul 2019-jıl.
  20. ↑ „Intel: 35 Years of Innovation (1968–2003)“. Intel (2003). 4-noyabr 2021-jılda túp nusqadan arxivlendi. Qaraldı: 26-iyun 2019-jıl.
  21. ↑ Lojek, Bo. History of Semiconductor Engineering. Springer Science & Business Media, 2007 — 362–363 bet. ISBN 9783540342588. „The i1103 was manufactured on a 6-mask silicon-gate P-MOS process with 8 μm minimum features. The resulting product had a 2,400 µm, 2 memory cell size, a die size just under 10 mm², and sold for around $21.“ 
  22. ↑ „KM48SL2000-7 Datasheet“. Samsung (avgust 1992). Qaraldı: 19-iyun 2019-jıl.
  23. ↑ Electronic Design. Hayden Publishing Company. 1993. https://books.google.com/books?id=QmpJAQAAIAAJ. "The first commercial synchronous DRAM, the Samsung 16-Mbit KM48SL2000, employs a single-bank architecture that lets system designers easily transition from asynchronous to synchronous systems.". 
  24. ↑ Embedded System Design with C805. 
  25. ↑ Business Intelligence: Second European Summer School, eBISS 2012, Brussels, Belgium, July 15-21, 2012, Tutorial Lectures. 
  26. ↑ „1971: Reusable semiconductor ROM introduced“. Computer History Museum. Qaraldı: 19-iyun 2019-jıl.
  27. ↑ Electrically reprogrammable nonvolatile semiconductor memory. 
  28. ↑ Fulford. „Unsung hero“. Forbes (24-iyun 2002-jıl). 3-mart 2008-jılda túp nusqadan arxivlendi. Qaraldı: 18-mart 2008-jıl.
  29. ↑ „Toshiba: Inventor of Flash Memory“. Toshiba. Qaraldı: 20-iyun 2019-jıl.
  30. ↑ „1987: Toshiba Launches NAND Flash“. eWeek (11-aprel 2012-jıl). Qaraldı: 20-iyun 2019-jıl.
  31. ↑ „1971: Reusable semiconductor ROM introduced“. Computer History Museum. Qaraldı: 19-iyun 2019-jıl.
  32. ↑ 32,0 32,1 32,2 32,3 Windows Server 2008 Inside Out.  Silteme kórsetiwdegi qátelik: Invalid <ref> tag; name ":2" defined multiple times with different content
  33. ↑ Stanek, William R.. Windows Server 2008 Inside Out. O'Reilly Media, Inc., 2009 — 1520 bet. ISBN 978-0-7356-3806-8. „[...] Windows Server Enterprise supports clustering with up to eight-node clusters and very large memory (VLM) configurations of up to 32 GB on 32-bit systems and 2 TB on 64-bit systems.“ 
  34. ↑ Montierth, Briggs, Keithley. „Semi-volatile NAND flash memory“. Qaraldı: 20-may 2018-jıl.
  35. ↑ Keppel, Naeimi, Nasrullah. „Method and apparatus for managing a spin-transfer torque memory“. Google Patents. Qaraldı: 20-may 2018-jıl.
«https://kaa.wikipedia.org/w/index.php?title=Kompyuter_yadı&oldid=102442» saytınan alınǵan